삼성, 차세대 10nm 공정 적용 DDR5, HBM3, GDDR6 RAM 공식 출시 소식

오늘 삼성에서는 가장 작은 크기의 8 기가비트 DDR4 램을 첫번째로 공개하였다. 이 메모리는 첫번째 2세대 10nm 공정으로 만들어진 새로운 메모리이다.

이 새로운 DDR4 메모리는 전 세대 보다 약 15% 소비전력을 낮추었으며 10% 전세대 보다 빠른 속도를 낼 수 있다. 이 새로운 메모리는 첫번째 10nm 공정을 통한 메모리 양산 발표를 한지 20개월 만이다. 그리고 소비전력 및 속도의 향상도 있지만 가장 크게 달라진 부분은 이 2세대 10nm 공정이 지니고 있는 수율이다. 삼성에서는 전 세대 대비 약 30% 정도 수율이 늘어났다고 밝히고 있는데 이로 인해 삼성은 전 세대 대비 동일한 웨이퍼에서 보다 많은 메모리를 뽑아낼 수 있게 된 것이다.

2세대 10nm 공정이 보다 안정적으로 셋업이 되면서 삼성에서는 DDR4 메모리 외에 DDR5, LP-DDR5와 최근 그래픽카드 및 AI 부분에서 많이 사용되고 있는 HBM3와 GDDR6 역시도 빠른 생산을 기대하게 되었다. 삼성의 전체적인 메모리가 완벽하게 셋업이 된다라면 엔터플라이즈 서버를 비롯하여 모바일 스마트 폰, 슈퍼 컴퓨터 및 엔비디아 혹은 AMD의 차세대 그래픽카드 까지도 광범위하게 사용이 될 수 있기 때문에 내년 메모리에 영향을 받은 많은 주변기기들이 차세대 제품들도 대거 출시될 전망이다.