[기획]2부-45nm의 핵심, Hi-k란 무엇인가

지난 1부에서는 인텔이 45나노미터 제조 공정을 도입하기까지 어떤 일들이 있었는지 그 발전 과정에 대해 간단하게 살펴봤다.

인텔은 2007년 1월 29일, 45나노 트랜지스터를 위한 첨단 소재인 하이케이(Hi-k)와 메탈 게이트를 발표했다. 인텔은 이후 2007년 11월에 트랜지스터의 절연벽과 스위칭 게이트에 이들 신소재를 이용, 새로운 기술을 바탕으로 첫 45나노미터 프로세서를 선보였다.

이처럼 인텔이 성공적으로 45나노미터 프로세서 제조 공정을 선보일 수 있었던 가장 큰 비결은 바로 새로운 소재의 도입에 있다고 할 수 있다. 지난 40년 가까이 트랜지스터의 기본 소재는 크게 바뀐 적이 없다는 것을 생각해 보면 이번 변화는 꽤나 파격적인 선택인 셈이다. 인텔은 이러한 신소재 연구를 바탕으로 타사보다 한참 앞선 정밀한 제조 공정을 가지게 되었다고 자부하고 있다.

이번 기사는 인텔 45나노미터 제조 기술의 핵심인 하프늄(Hafnium) 기반 하이케이(Hi-k) 메탈 게이트 방식에 대해 알아보려 한다. 과연 이들 신소재는 어떤 특성을 가지고 있는지, 또 이로 인해 인텔이 얻게 된 이득은 무엇인지 한 번 살펴보자.

1부 - 45nm, 인텔이 걸어 온 발자취
2부 - 45nm의 핵심, Hi-k란 무엇인가
3부 - 45nm 프로세서, 어떤 것들이 있을까
　