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엘피다, 50nm 공정의 DDR3 메모리 발표

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문태환기자 기사승인70-01-01 09:00 조회3,731회 댓글0건

일본의 메모리 제조 회사인 엘피다에서 50nm 공정의 DDR3 SDRAM 개발 완료했다고 발표하였다. 이 메모리는 최대 2.5Gbps의 속도를 낼 수 있으며 1.2V의 낮은 전압으로 구동이 가능하다.

DDR3는 단일 칩 면적이 크며 현재 70nm 공저으로 생산이 되며 1.5V ~1.35V로 동작이 된다. 오늘 발표한 DDR3 메모리는 800Mbps, 1066Mbps, 1333Mbps, 1600Mbps, 1866Mbps, 2133Mbps 및 2500Mbps의 데이터전송 속도를 갖게 되어 컴퓨터 시스템 외에 다양한 분야에 사용될 예정이라고 한다.

실제 제품의 양산 시기는 내년 1분기라고 한다.