삼성전자, DRAM 제조에 70nm 공정 도입
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브레인박스기자
기사승인70-01-01 09:00
조회1,042회
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삼성전자가 70nm 공정으로 만든 512Mb(메가비트) DDR 2 SD램을 세계 최초로 선보였다. DRAM을 만드는 데 70nm 공정을 쓴 것은 삼성전자가 처음이다.삼성전자는 메모리를 70nm 공정으로 만들면 종전의 90nm 공정보다 같은 크기의 웨이퍼에서 최고 2배 많은 메모리를 만들 수 있다고 주장했다. 삼성전자는 당분간 종전의 80nm, 90nm 공정을 그대로 유지하면서 2006년 하반기부터 512Mb, 1Gb, 2Gb DDR 2 SD램을 70nm 공정으로 바꿀 계획이다.
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